整流二極管的結構原理
整流二極管是由一個面接觸 PN構造成的結型硅半導體器件。此 PN結并非是將P 型半導體和N型半導體舉行單純的機械壓抑或歐姆接觸措施制成，而是靠嚴厲的制造工藝措施，用合金法在高溫下拆開構成，并且在拆開工藝過程中發生著一系列“空穴”與“電子”拆開行動，在此不予詳述。由于結型二極管屬于面接觸型，和點接觸型二極管相比擬，批準穿越的電流成數倍或數十增加添，因而等閑稱之為整流二極管或硅平面二極管。
整流二極管的工作原理
(a)結構的整流二極管NCaAs兩端 對平行的電極上施加反偏直流電場在開始時,跟普通的電阻樣,電流線性增加;但當平均電場超過狄X/cm時,電流開始減少,并引起頻率非常高(料GHz)的電流振蕩.此時的振蕩周期約為傳導電子通過器件長度的掃 描時，
(b)結構的IMPArT二極管,在NˉGaAs兩端施加反偏直流電場時,特別是高電場部分超過兒自kV/cm時,IMPATT二極管將 引起雪崩現象,所產生的電子、空穴將以約’clll/s的飽和速度穿過高電場區.當在其反偏直流電場上疊加交流電場時,在某種特定的條件下,IMPArT 整流二極管將呈現出負阻現象而引起整流振蕩。